原子級“羽翼”誕生！InSe晶圓讓芯片跑出后硅速度

你是否想過，讓手機多用一天、筆記本不再燙手的秘訣，其實藏在一張比頭發絲還薄十萬倍的“薄膜”里？北京大學與中國人民大學聯合團隊近日宣布，已成功拉制出直徑5厘米的二維硒化銦（InSe）單晶晶圓。業內評價，這是后硅時代芯片材料的首次“成人禮”。  

傳統硅片走到3 nm關口，漏電與發熱像兩道緊箍咒，越縮越痛。InSe憑借原子級超薄身材和超高電子遷移率，被視作“救火隊員”。難點在于：銦、硒兩元素“脾性”不合，高溫下常“鬧分家”，晶圓極易夾帶缺陷，過去只能手工剝出微米小片。  

研究團隊把非晶薄膜放進“液態銦蒸籠”，讓原子重新排隊，十分鐘便長出鏡面級晶圓。首批10 nm溝道晶體管實測開關速度比3 nm硅芯片快三倍，能耗卻只剩十分之一。  

對普通用戶而言，這意味著：  

? 手機重度續航或延長整整一天；  

? 輕薄本跑AI不再燙鍵盤；  

? 折疊屏彎折萬次仍信號滿格。  

未來兩年，團隊將攜手產業伙伴推進2英寸到8英寸晶圓的工藝放大。當電子在InSe的原子跑道上疾馳，后硅時代的性能紅利，即將走進每個人的口袋。